Process for producing boron nitride

질화붕소의 제조방법

Abstract

본 발명은 도펀트(여기서, 도펀트는 공정에서 가장 높은 처리온도보다 낮은 기화온도)를 가진 금속 붕산염을 형성하는 금속 화합물이다)로서 사용된 하나 이상의 화합물의 존재하에 1000℃ 이상의 처리온도에서 적어도 1시간동안 산소-함유 붕소 화합물을 질소-함유 공급원과 반응시켜 육방정계 질화붕소 화합물을 형성시킴을 포함하여 육방정계 질화붕소 화합물을 제조하는 방법을 개시한다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle