불휘발성 메모리 장치의 게이트 구조물 및 이의 제조 방법

Gate structure of a non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Abstract

불휘발성 메모리 장치의 게이트 구조물 및 이를 제조하는 방법에서, 터널 절연막과 전하 트랩핑막이 반도체 기판 상에 순차적으로 형성된 후, 상기 전하 트랩핑막 상에 블록킹막으로서 복합 유전막이 형성된다. 상기 복합 유전막은 알루미늄 산화물을 포함하는 제1 물질막들과 하프늄 산화물 또는 지르코늄 산화물을 포함하는 제2 물질막들이 교대로 적층된 라미네이트 구조를 갖는다. 상기 복합 유전막 상에 게이트 전극으로 사용될 도전막을 형성한 후, 상기 도전막, 복합 유전막, 전하 트랩핑막 및 터널 절연막을 순차적으로 패터닝하여 게이트 구조물을 완성한다.

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