Using a bit specific reference level to read a memory

비트 특정 기준 레벨을 이용하여 메모리를 판독하는 방법

Abstract

판독 전류가 변경된 후에 트리거되지 않은 상변화 메모리의 선택된 비트를 판독하기 위해, 하나의 판독 전류를 이용하여 선택된 비트에 액세스하는 것에서 유도된 전압을 사용할 수 있다. 결과로서, 서로 다른 기준 전압들을 사용하여 더 높은 저항 대 더 적은 저항의 선택된 셀의 상태를 감지할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 결과로서 생긴 판독 윈도우 또는 마진은 개선될 수 있다. 기준 전압, 판독 전류, 스트로브, 셋 비트, 리셋 비트

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-100882125-B1February 05, 2009주식회사 하이닉스반도체Phase change memory device and operlating method the same
    KR-100895387-B1April 21, 2009주식회사 하이닉스반도체Phase change memory device
    KR-100905188-B1June 29, 2009주식회사 하이닉스반도체상 변화 메모리 장치