실리콘으로부터 평판-형상의 구조체를 제조하는 방법, 상기방법의 용도, 및 실리콘으로부터 이와 같이 제조되는평판-형상의 구조체

Method of producing a plate-shaped structure, in particular, from silicon, use of said method and plate-shaped structure thus produced, in particular from silicon

Abstract

본 발명은 평판 형상의 구조체를 제조하는 방법 및 실리콘으로부터 이와 같이 제조된 평판 형상의 구조체에 관한 것이다. 본 발명의 구조체는 1개 이상의 기재(2), 상부기재(3), 및 기재와 상부기재 사이에 끼워진 1개 이상의 중간층(4)을 포함한다. 상기 중간층(4)은 외인성 분자 또는 원자(이는 베이스 물질의 원자 또는 분자와 상이함)가 분포되어 있는 베이스 물질을 적어도 하나 포함한다. 본 발명에 따르면, 가열 처리를 평판에 가하여 가열 처리의 온도 범위에서 중간층(4)은 소성 변형가능하며, 선택된 베이스 물질내 선택된 외인성 원자 또는 분자의 존재로 인하여 비가역성의 미세 기포 또는 미세 공동(7)이 중간층내 형성되는 것을 특징으로 한다.
The invention relates to a method of producing a plate-shaped structure and to the plate-shaped structure thus produced, in particular from silicon. The inventive structure comprises at least one substrate (2), a superstrate (3) and at least one intermediary layer (4) which is disposed between the substrate and the superstrate. The aforementioned intermediary layer (4) comprises at least one base material in which extrinsic molecules or atoms are distributed, which are different from the atoms or molecules of said base material. According to the invention, a heat treatment is applied to the plate such that, within the temperature range of said heat treatment, the intermediary layer (4) is plastically deformable and the presence of the selected extrinsic molecules or atoms in the selected base material causes the irreversible formation of micro-bubbles or micro-cavities (7) in said intermediary layer.

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