Vcsel pumped in a monolithically optical manner and comprising a laterally applied edge emitter

측면 방출기를 구비한, 모놀리식 광펌핑 vcsel


본 발명은 광펌핑된 표면 방출 수직 방출기 영역(2)을 갖는 반도체 레이저 장치에 관한 것으로, 상기 수직 방출기 영역은 방사선을 방출하는 활성 수직 발광층(3) 및 상기 수직 방출기 영역(2)의 광펌핑(optical pumping)을 위한 적어도 하나의 모놀리식 집적 펌프 방사선원(pump radiation source)(5)을 포함하며, 상기 펌프 방사선원은 방사선을 방출하는 활성 펌프층(6)을 포함한다. 본 발명에 따르면, 펌프층(6)은 수직 방향으로 상기 수직 발광층(3) 다음에 배치되고, 상기 수직 발광층(3)과 펌프층(6) 사이에는 전도성 층(13)이 제공된다. 또한, 반도체 레이저 장치에서 상기 전도성 층(13)보다 펌프층(6)에 더 가까이 놓인 면 위에 콘택(9)이 제공된다. 상기 콘택(9)과 전도성 층(13) 사이에 전하 캐리어 주입을 통해 펌프 방사선(7)을 발생시키기 위한 전기장이 여기될 수 있다.
The invention relates to a semiconductor laser device comprising an optically pumped, surface-emitting vertical emitter region (2) provided with an active radiation-emitting vertical emitter layer (3), and at least one monolithically integrated pump radiation source (5) comprising an active radiation-emitting pump layer (6) and used to optically pump the vertical emitter region (2). According to the invention, the pump layer (6) is arranged downstream of the vertical emitter layer (3) in the vertical direction and a conductive layer (13) is provided between the vertical emitter layer (3) and the pump layer (6). Furthermore, a contact (9) is applied to the side of the semiconductor laser device that is closer to the pump layer (6) than the conductive layer (13). An electrical field for generating pump radiation (7) by means of charge carrier injection can be applied between said contact (9) and the conductive layer (13).




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